- Titre
- Analysis of Total Dose Effects on a PDSOI n-channel High Voltage Transistor for Analog Applications
- Créateurs - sans rôle
- F. Perez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. FuricE. LeducF. MalouJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE RADECS 2019 (Montpellier, France, 16/09/2019–20/09/2019)
- Identifiants
- 9945949409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02442035
Acte de colloque
Analysis of Total Dose Effects on a PDSOI n-channel High Voltage Transistor for Analog Applications
IEEE RADECS 2019 (Montpellier, France, 16/09/2019–20/09/2019)
Indicateurs
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