We used two-photon absorption laser testing to characterize the effect of short-term NBTI aging on the SEU sensitivity of 65 nm CMOS SRAM cell. Results indicate a fast increase of SEU sensitivity due to aging.
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Titre
Analysis of Short-Term NBTI Effect on the Single-Event Upset Sensitivity of a 65nm SRAM using Two-Photon Absorption
Créateurs - sans rôle
El Moukthari Issam - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Vincent Pouget - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Frédéric Darracq - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Camille Larue
Dean Lewis - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système
Philippe Perdu - Centre National d'Études Spatiales
IEEE
Détails de publication
Proceedings of the 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, pp.1-6
Colloque
14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems
Publications en série
Proceedings of the 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems