- Titre
- AlGaN channel high electron mobility transistors on Si for power electronics
- Créateurs - sans rôle
- Julien Bassaler - SEMIJash Mehta - Nano Hydrophobics (United States)Idriss Abid - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieLeszek Konczewicz - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CSandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CSylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CJulien Pernot - SEMIMaud Nemoz - SES (Luxembourg)Sebastian Tamariz - EasyGaNStéphanie Rennesson - SES (Luxembourg)Fabrice Semond - SES (Luxembourg)Yvon Cordier - SES (Luxembourg)Farid Medjdoub - Gap (United States)Philippe Ferrandis - SEMI
- Colloque
- Symposium de Génie Électrique SGE 2025 (Toulouse, France, 01/07/2025–03/07/2025)
- Note de subvention
- This work was supported by the French RENATECH network, and the ANR-11-LABX-0014 within the national network GaNeX as well as part of project ACTION (ANR-22-CE05-0028).
- Identifiants
- 99152221309311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-05398228
Acte de colloque
AlGaN channel high electron mobility transistors on Si for power electronics
Symposium de Génie Électrique SGE 2025 (Toulouse, France, 01/07/2025–03/07/2025)
Indicateurs
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