- Titre
- Aging and Gate Bias Effects on TID Sensitivity of Wide Bandgap Power Devices
- Créateurs - sans rôle
- Kimmo Niskanen - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESRosine Coq GermanicusFrédéric Wrobel - Institut d'Électronique et des SystèmesF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJérôme Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlain Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESVincent Pouget - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE RADECS2018 (Goteborg, Sweden, 16/09/2018)
- Identifiants
- 9945283209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02086450
Acte de colloque
Aging and Gate Bias Effects on TID Sensitivity of Wide Bandgap Power Devices
IEEE RADECS2018 (Goteborg, Sweden, 16/09/2018)
Indicateurs
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