AFM and Raman Studies of Graphene Exfoliated on SiC

Antoine Tiberj; Marta Martin-Fernandez; Nicolas Camara; P. Poncharal; T. Michel; J.-L. Sauvajol; P. Godignon; Jean Camassel

Acte de colloque

AFM and Raman Studies of Graphene Exfoliated on SiC

Antoine Tiberj, Marta Martin-Fernandez, Nicolas Camara, P. Poncharal, T. Michel, J.-L. Sauvajol, P. Godignon et Jean Camassel

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008, Vol.615-617, pp.215-218

7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Barcelona (SPAIN), Spain, 07/09/2008–11/09/2008)

2009

Résumé

SiC

graphene

Raman

AFM

We report an investigation of few layers graphene exfoliated on SiC. Using AFM and Raman spectroscopy, we find that the graphene thickness determined from the normalized intensity of Raman lines significantly depart from the one obtained using XPS.

Fichiers et liens (1)

url

Find in HALAfficher

Indicateurs

1 Consultations de la notice

Détails

Titre: AFM and Raman Studies of Graphene Exfoliated on SiC
Créateurs - sans rôle: Antoine Tiberj - Groupe d'étude des semiconducteurs
Marta Martin-Fernandez - Centro Nacional de Microelectrónica
Nicolas Camara - Centro Nacional de Microelectrónica
P. Poncharal - Laboratoire des colloïdes, verres et nanomatériaux
T. Michel - Laboratoire des colloïdes, verres et nanomatériaux
J.-L. Sauvajol - Laboratoire des colloïdes, verres et nanomatériaux
P. Godignon - Centro Nacional de Microelectrónica
Jean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
Détails de publication: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008, Vol.615-617, pp.215-218
Colloque: 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Barcelona (SPAIN), Spain, 07/09/2008–11/09/2008)
Identifiants: 9936967409311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00411935