- Titre
- A surface potential based compact model for lightly doped FD SOI MOSFETs with ultra-thin body
- Créateurs - sans rôle
- J. El Husseini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Bawedin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Ritzenthaler - Universitat Rovira i VirgiliF. Lime - Universitat Rovira i VirgiliB. Iñiguez - Universitat Rovira i Virgili
- Détails de publication
- 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), pp.1-4
- Colloque
- 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) (Cork, Ireland, 14/03/2011–16/03/2011)
- Identifiants
- 9935371109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066661
Acte de colloque
A surface potential based compact model for lightly doped FD SOI MOSFETs with ultra-thin body
12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), pp.1-4
12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) (Cork, Ireland, 14/03/2011–16/03/2011)
Indicateurs
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