- Titre
- A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs
- Créateurs - sans rôle
- F. Lime - Universitat Rovira i VirgiliR. Ritzenthaler - Universitat Rovira i VirgiliB. Iñiguez - Universitat Rovira i VirgiliE. Miranda - Universitat Autònoma de BarcelonaFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESO. Faynot - CEA Grenoble
- Détails de publication
- 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE), pp.1-4
- Colloque
- 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) (Palma de Mallorca, Spain, 08/02/2011–11/02/2011)
- Identifiants
- 9935261909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066647
Acte de colloque
A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs
2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE), pp.1-4
2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) (Palma de Mallorca, Spain, 08/02/2011–11/02/2011)
Indicateurs
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