- Titre
- A Thermal Annealing Approach to Extend Metal Oxide Semiconductor Devices Lifetime Exposed to Very High Dose Levels
- Créateurs - sans rôle
- F. Roig - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesL. Dusseau - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. C. Adell - Jet Propulsion LaboratoryE. Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesR. Ecoffet - Centre National d'Études Spatiales
- Colloque
- IEEE RADECS 2012 (Biarritz, France, 2012)
- Identifiants
- 9947015909311
- Unité académique
- Centre Spatial de l'Université de Montpellier - CSUM; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01824395
Acte de colloque
A Thermal Annealing Approach to Extend Metal Oxide Semiconductor Devices Lifetime Exposed to Very High Dose Levels
IEEE RADECS 2012 (Biarritz, France, 2012)
Indicateurs
1 Consultations de la notice