A ROUTE TOWARDS III-V/II-VI HETEROSTRUCTURES - MOVPE AND ELECTRONIC-PROPERTIES OF GAAS-ZNSE DOUBLE HETEROSTRUCTURES

Acte de colloque

O Briot, N Tempier, T Cloitre, B Gil, P Lefebvre, H Mathieu et R L Aulombard

20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLS 1-3, pp.1194-1197

01/01/1990

Résumé

Physical Sciences

Physics

Physics, Applied

Physics, Atomic, Molecular & Chemical

Physics, Condensed Matter

Science & Technology

Spectroscopy

Technology

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Titre: A ROUTE TOWARDS III-V/II-VI HETEROSTRUCTURES - MOVPE AND ELECTRONIC-PROPERTIES OF GAAS-ZNSE DOUBLE HETEROSTRUCTURES
Créateurs - sans rôle: O Briot
N Tempier
T Cloitre
B Gil
P Lefebvre
H Mathieu
R L Aulombard
Contributeurs - sans rôle: E M Anastassakis
J D Joannopoulos
Détails de publication: 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLS 1-3, pp.1194-1197
Éditeur: World Scientific
Nombre de pages: 4
Identifiants: 99147526809311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding