- Titre
- 1/f noise in strained SiGe on Insulator MOSFETs
- Créateurs - sans rôle
- M. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. El Husseini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Gyani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Le Royer - CEA GrenobleJ. Damlencourt - Institut polytechnique de Grenoble
- Détails de publication
- 2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.344-347
- Colloque
- 2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Toronto, Canada, 12/06/2011–16/06/2011)
- Identifiants
- 9942400609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02063012
Acte de colloque
1/f noise in strained SiGe on Insulator MOSFETs
2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.344-347
2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Toronto, Canada, 12/06/2011–16/06/2011)
Indicateurs
1 Consultations de la notice