- Titre
- 1∕f noise in 0.12 μm P-MOSFETs with High-k and metal gate fabricated in a Si Process Line on 200 mm GeOI Wafers
- Créateurs - sans rôle
- J. Gyani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Soliverès - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Le Royer - CEA GrenobleE. Augendre - Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information
- Détails de publication
- NOISE AND FLUCTUATIONS: 20th International Conference on Noice and Fluctuations (ICNF-2009), pp.259-262
- Colloque
- NOISE AND FLUCTUATIONS: 20th International Conference on Noice and Fluctuations (ICNF-2009) (Pisa (Italy), Italy, 2009)
- Identifiants
- 9942401609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02063016
Acte de colloque
1∕f noise in 0.12 μm P-MOSFETs with High-k and metal gate fabricated in a Si Process Line on 200 mm GeOI Wafers
NOISE AND FLUCTUATIONS: 20th International Conference on Noice and Fluctuations (ICNF-2009), pp.259-262
NOISE AND FLUCTUATIONS: 20th International Conference on Noice and Fluctuations (ICNF-2009) (Pisa (Italy), Italy, 2009)
Indicateurs
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