1/f gate tunneling current noise model of ultrathin oxide MOSFETs

Acte de colloque

Frédéric Martinez, S. Soliverès, C. Leyris et M. Valenza

2006 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, pp.193-198

2006 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (Austin, France, 06/03/2006–09/03/2006)

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Titre: 1/f gate tunneling current noise model of ultrathin oxide MOSFETs
Créateurs - sans rôle: Frédéric Martinez - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
S. Soliverès - Université de Montpellier
C. Leyris - Université de Montpellier
M. Valenza - Université de Montpellier
Détails de publication: 2006 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, pp.193-198
Colloque: 2006 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (Austin, France, 06/03/2006–09/03/2006)
Identifiants: 9944571309311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-02064884