- Titre
- 1T-DRAM at the 22nm technology node and beyond: An alternative to DRAM with high-k storage capacitor
- Créateurs - sans rôle
- M. Bawedin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Cristoloveanu - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueA. Hubert - Franche-Comté Électronique Mécanique Thermique et Optique - Sciences et TechnologiesG. Guegan - STMicroelectronicsS. ChangB. Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Hoffmann - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- 2011 IEEE 14th International Symposium on Electrets ISE 14, pp.93-94
- Colloque
- 2011 IEEE 14th International Symposium on Electrets ISE 14 (Montpellier, France, 28/08/2011–31/08/2011)
- Identifiants
- 99115003109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02052982
Acte de colloque
1T-DRAM at the 22nm technology node and beyond: An alternative to DRAM with high-k storage capacitor
2011 IEEE 14th International Symposium on Electrets ISE 14, pp.93-94
2011 IEEE 14th International Symposium on Electrets ISE 14 (Montpellier, France, 28/08/2011–31/08/2011)
Indicateurs
1 Consultations de la notice