- Titre
- 1.8 MeV proton radiation effects on substrate resistivity of n-type MOS capacitors
- Créateurs - sans rôle
- Richard Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE.X. ZhangN. Rezzak - Vanderbilt UniversitySchrimpf R.D.Fleetwood D.M.B.K. Choï - Vanderbilt UniversityA.B. Hmelo - Vanderbilt University
- Colloque
- 11th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS) (Längenfeld, Austria, 09/2010)
- Identifiants
- 9945360909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01811981
Acte de colloque
1.8 MeV proton radiation effects on substrate resistivity of n-type MOS capacitors
11th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS) (Längenfeld, Austria, 09/2010)
Indicateurs
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