- Titre
- Study of physical properties of antiphase boundaries in III-V epitaxial layer on silicon with conductive tip atomic force microscopy (C-AFM) and with Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) techniques.
- Créateurs - sans rôle
- Rozenn Bernard - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationMichel Ramonda - Université de Montpellier, Ingénierie, Caractérisation et Services - ICSAudrey Gilbert - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESTony Rohel - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationJulie Le Pouliquen - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationKarine Tavernier - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationNicolas Bertru - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESEric Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESYoan Léger - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’informationCharles Cornet - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’information
- Colloque
- C'NANO (Paris, France, 2025)
- Note de subvention
- Réseau RENATECH+
- Identifiants
- 99151452409311
- Unité académique
- Ingénierie, Caractérisation et Services - ICS; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference poster
- Champs locaux
- hal-05296571
Poster de colloque
Study of physical properties of antiphase boundaries in III-V epitaxial layer on silicon with conductive tip atomic force microscopy (C-AFM) and with Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) techniques.
C'NANO (Paris, France, 2025)
Indicateurs
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