- Title
- Impact of gate metallization for Total Ionizing Dose Testing of MOS capacitors
- Creators - without role
- V. Girones - Université de MontpellierJ. Boch - Institut d'Électronique et des SystèmesD. Lambert - CEA/DAM [Arpajon]F. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IEST. Maraine - Institut d'Électronique et des SystèmesF. Wrobel - Institut d'Électronique et des SystèmesS. Girard - Laboratoire Hubert CurienA. Carapelle - CSL BelgiqueA. Chapon - ATRON MetrologyR. Garcia - Institut de physique du globe de Paris
- Conference
- IEEE Radecs 2024. (RADiation Effects on Components and Systems) (Maspalomas (SPAIN), Spain, 16/09/2024–20/09/2024)
- Identifiers
- 9963535709311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Conference poster
- Local Fields
- hal-04709685
Conference poster
Impact of gate metallization for Total Ionizing Dose Testing of MOS capacitors
IEEE Radecs 2024. (RADiation Effects on Components and Systems) (Maspalomas (SPAIN), Spain, 16/09/2024–20/09/2024)
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