ICLs à 3,3 µm sur substrats de GaSb, GaAs et Si (001)

Conference poster

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Maeva Fagot, Daniel Andres Diaz-Thomas, Audrey Gilbert, Michel Ramonda, Gad Kombila, Yves Rouillard, Jean-Baptiste Rodriguez, Eric Tournié and Laurent Cerutti

GDR MatEpi 2023 (Paris, France, 03/07/2023–06/07/2023)

2023

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Title: ICLs à 3,3 µm sur substrats de GaSb, GaAs et Si (001)
Creators - without role: Maeva Fagot - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Daniel Andres Diaz-Thomas - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Audrey Gilbert - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Michel Ramonda - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Gad Kombila - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Yves Rouillard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Jean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Eric Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Laurent Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Conference: GDR MatEpi 2023 (Paris, France, 03/07/2023–06/07/2023)
Grant note: French Occitanie Region : LASIDO project
Identifiers: 9940242709311
Academic Unit: Ingénierie, Caractérisation et Services - ICS; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Conference poster
Local Fields: hal-04282846