- Title
- Structural defects in SiO-Si caused by ion bombardment
- Creators - without role
- Antoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Marinoni - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. M. J. F. Carvalho - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Bonnet - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Gasiot - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Contributors - without role
- Taylor and Francis/CRC Press
- Publication Details
- Defects in Microelectronic Materials and Devices, Vol.Chapitre 18
- Identifiers
- 9946088809311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Book chapter
- Local Fields
- hal-01959095
Book chapter
Structural defects in SiO-Si caused by ion bombardment
Defects in Microelectronic Materials and Devices, Vol.Chapitre 18
2008
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